Impress さんの記事。内容もさることながら、Intel と Micron で開発された製品の詳細を、全く関係ない外部の会社が解析して発表してしまうというニュースに驚いたり。業界的にはこういうのは有りなんだろうか。ソフトウェアだと、よくリバースエンジニアリング禁止、とか書いてあったりするが、こういったハードウェアのパーツ的な製品ではどうなのか。大量生産しているのに、詳細を公表しない Intel や Micron も、最近の業界からすると珍しく？、それを無理やり解析してしまう TechInsights 社もなんか違和感を覚える。
それはさておき、技術的な内容は興味深いものである。この記事では、記憶素子自体よりも、スイッチング素子がポイントだということらしい。Intel と Micron ならでは製造できる感じだろうか。
残念だが、3D XPoint メモリの開発に時間がかかっている間に、フラッシュメモリが革新的に容量を増やしてきている。今のところ、容量密度としては、5 倍程度までいっているとのこと。確かに、フラッシュメモリでは、厚み方向に 64 層とか重ねていたりする。3D XPoint メモリの平面方向に、密度を上げてはいるが、それだけでは勝負にならないということか。3D XPoint メモリも厚み方向への進化をしていくようなので、期待はできるのかな。
読み書き速度がフラッシュとは、何桁も違うので、それでいて大容量ということになれば、色々常識を変えていく部分も多そう。発展に期待したいところ。
