パソコン・メモメモ備忘録

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Samsung 3D V-NAND

ITmedia さんの記事。技術がどんどん進んでいることを感じる 3D V-NAND。微細化だけでなく、厚み方向に積層することで、1チップあたりの容量を増やす技術っぽい。今後、フラッシュメモリの容量を増やしていくには、必須の技術だと思うが、実用化を先行しているのが Samsung ということか。上記記事の図を見ると、セルの構造自体が根本的に今までのものと異なっているように見える。専門家ではないのでよくわからないが、これまでのものを無理やり積層するのではなく、はじめから積層することを前提としたセル構造のようだ。結構革新的な製品なんじゃないだろうか。外部からみるとこれまでとの違いを感じないが。

DRAM も積層するようになっていくので、時代はどんどんこの方向に進んでいくはず。将来的には、チップじゃなくて、キューブと呼ばれるようになるのもすぐ? 100層重ねて 1T ビットのチップも視野だそうな。ただ、100層のうち、いくつかの層で失敗すると全部駄目になる、とかだと厳しい。その分冗長構成を強くしないといけないか。

上記の記事には、ライト性能重視の製品とリード性能重視の SSD 製品も紹介されていて、なかなか面白い。HDD ではそこまで性能を追求することが物理構造的に難しかったが、SSD ではその余地がある、ということか。見方によっては、弱点があるので上手くカバーしないといけない、という事でもある。

HDD にバイト当たり単価が、また近づいていきそうだ。楽しみ楽しみ。